أفضل خدمه مع أفضل سعر وتوصيل فوري 👌🚚
لم يتم العثور على أي نتيجة لبحثك.
- عرض جميع الأقسام
- فانكو بوبس ( شخصيات )
- RGB / نيون / ضوء 💡
- بطاقات الشحن
- الساعات الذكية ⌚
- سوني بلاي ستيشن 🎮
- ركب جهازك بنفسك
- أجهزة كمبيوتر تم بناؤها مسبقًا 🕹
هل تحتاج مساعدة؟ اتصل بنا
+٩٧٤ ٦٦٠ ٤٦٦١١
admin@pcbuilderqatar.com
عربة التسوق الخاصة بي
عربة التسوق فارغة
- مسكن
- جيجابايت
- محرك أقراص الحالة الثابتة الداخلي GIGABYTE AORUS Gen5 14000، سعة 1 تيرابايت، واجهة PCI-Express 5.0x4، واجهة NVMe 2.0، عامل الشكل M.2 2280، سرعة قراءة متتابعة تصل إلى 13,600 ميجابايت/ثانية وسرعة كتابة متتابعة تصل إلى 10,200 ميجابايت/ثانية - تخزين سريع محرك أقراص الحالة الثابتة الداخلي GIGABYTE AORUS Gen5 14000، سعة 1 تيرابايت، واجهة PCI-Express 5.0x4، واجهة NVMe 2.0، عامل الشكل M.2 2280، سرعة قراءة متتابعة تصل إلى 13,600 ميجابايت/ثانية وسرعة كتابة متتابعة تصل إلى 10,200 ميجابايت/ثانية - تخزين سريع
New Price
Visit Gigabyte Store
محرك أقراص الحالة الثابتة الداخلي GIGABYTE AORUS Gen5 14000، سعة 1 تيرابايت، واجهة PCI-Express 5.0x4، واجهة NVMe 2.0، عامل الشكل M.2 2280، سرعة قراءة متتابعة تصل إلى 13,600 ميجابايت/ثانية وسرعة كتابة متتابعة تصل إلى 10,200 ميجابايت/ثانية - تخزين سريع
No reviews
كود المنتج: 2616323394
متوفرة:
فقط 3 عنصر في المخزن
3 عنصر في المخزون
في المخزن
Pre-order
إنتهى من المخزن
QAR 1,299.00
أريد أن يتم تسليمه بواسطة Today? Order before 10:00 PM
يوفر قرص GIGABYTE AORUS Gen5 14000 أداءً فائقاً مع سرعات PCIe 5.0 تصل إلى 14,500 ميجابايت/ثانية للقراءة و12,700 ميجابايت/ثانية للكتابة. تم تصميم هذا القرص من نوع M.2 2280 وبسعة 1 تيرابايت، والمبني على وحدة التحكم Phison PS5026-E26 وذاكرة 3D TLC NAND مكونة من 232 طبقة، خصيصاً للاعبين وصناع المحتوى وعشاق الحاسوب الذين يتطلبون أوقات تحميل فائقة السرعة وتعدد مهام سلس. اختبر تقليل زمن الاستجابة وأقصى درجات استجابة النظام مع تقنية NVMe من الجيل التالي.
✅ قرص الحالة الصلبة GIGABYTE AORUS Gen5 14000 – سعة 1 تيرابايت (AG514K1TB)
- قرص NVMe M.2 PCIe 5.0 SSD بسعة 1 تيرابايت
- سرعة قراءة تصل إلى 13,600 ميجابايت/ثانية | سرعة كتابة 10,200 ميجابايت/ثانية
- متوافق مع PCIe Gen5 وNVMe 2.0
- وحدة تحكم Gen5 عالية الأداء
- ذاكرة فلاش 3D TLC NAND
- ذاكرة تخزين مؤقت DRAM مدمجة لسرعة مستدامة
- عامل شكل M.2 2280
- مثالي للألعاب، والذكاء الاصطناعي، وصناعة المحتوى
- يتطلب مشتت حراري للوحة الأم
-
ضمان المصنع لمدة 5 سنوات
الواجهة PCI-Express 5.0x4, NVMe 2.0 عامل الشكل M.2 2280 السعة الإجمالية 1000 جيجابايت ذاكرة NAND 3D TLC NAND Flash ذاكرة تخزين مؤقت خارجية DDR LPDDR4 2 جيجابايت سرعة القراءة المتسلسلة تصل إلى 13,600 ميجابايت/ثانية سرعة الكتابة المتسلسلة تصل إلى 10,200 ميجابايت/ثانية الأبعاد 80 x 22 x 2.3 ملم متوسط الوقت بين الأعطال (MTBF) 1.6 مليون ساعة أقصى طاقة تشغيل القراءة: 11.5 واط؛ الكتابة: 11.5 واط طاقة وضع الخمول (PS3) < 144 ميلي واط الطاقة (PS4, L1.2) < 85 ميلي واط درجة حرارة التشغيل 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية درجة حرارة التخزين -40 درجة مئوية إلى 85 درجة مئوية ملاحظات يختلف الأداء بناءً على الأجهزة/الإعدادات.